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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
| 生命周期 | Obsolete |
| IHS 制造商 | DIODES INC |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8541.21.00.75 |
| 风险等级 | 5.3 |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.1 A |
| 基于收集器的最大容量 | 3 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 15 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | MATTE TIN |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 600 MHz |
| Base Number Matches | 1 |
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