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Variable Capacitance Diode, 33pF C(T), 25V, Silicon, Hyperabrupt, MINIATURE PACKAGE-3
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 生命周期 | Obsolete |
| IHS 制造商 | DIODES INC |
| 包装说明 | R-PDSO-G3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8541.10.00.80 |
| 风险等级 | 5.04 |
| Is Samacsys | N |
| 其他特性 | LOW NOISE |
| 最小击穿电压 | 25 V |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管电容容差 | 10% |
| 最小二极管电容比 | 5 |
| 标称二极管电容 | 33 pF |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 最大功率耗散 | 0.33 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最小质量因数 | 200 |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 变容二极管分类 | HYPERABRUPT |
| Base Number Matches | 1 |
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