DIODES/美台 ZXMP6A18DN8QTA的Datasheet PDF数据手册资料_规格参数及简介

型号：ZXMP6A18DN8QTA

标签: 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 光电二极管

品牌：DIODES/美台

Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 60V, 0.055ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8

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型号参数：ZXMP6A18DN8QTA参数

是否Rohs认证	符合
生命周期	Active
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code	compliant
风险等级	5.66
其他特性	HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）	38.2 mJ
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V
最大漏极电流 (ID)	3.7 A
最大漏源导通电阻	0.055 欧姆
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	2
端子数量	8
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	23 A
参考标准	AEC-Q101
表面贴装	YES
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1