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ZXTP2008G

ZXTP2008G 规格参数_Datasheet数据手册

品牌:DIODES/美台

30V PNP LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
30V PNP低饱和晶体管采用SOT223

型号参数:ZXTP2008G参数
生命周期Active
IHS 制造商DIODES INC
零件包装代码TO-261AA
包装说明TO-261AA, 4 PIN
针数4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
风险等级5.69
Is SamacsysN
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)5.5 A
集电极-发射极最大电压30 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)10
JEDEC-95代码TO-261AA
JESD-30 代码R-PDSO-G4
元件数量1
端子数量4
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)110 MHz
Base Number Matches1
调查问卷

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