60V PNP LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89
60V PNP低饱和中功率晶体管SOT89
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Active |
零件包装代码 | SOT-89 |
包装说明 | SOT-89, 3 PIN |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
风险等级 | 1.13 |
Is Samacsys | N |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 4.3 A |
集电极-发射极最大电压 | 60 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 10 |
JESD-30 代码 | R-PSFM-F3 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 2.1 W |
认证状态 | Not Qualified |
子类别 | Other Transistors |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 120 MHz |
Base Number Matches | 1 |
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