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High Speed, Single Channel, Power MOSFET Drivers
高速单通道功率MOSFET驱动器
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 生命周期 | Active |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | SOP, |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 风险等级 | 5.66 |
| 高边驱动器 | YES |
| 接口集成电路类型 | BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 长度 | 4.9022 mm |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 标称输出峰值电流 | 4 A |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 认证状态 | COMMERCIAL |
| 座面最大高度 | 1.7272 mm |
| 最大供电电压 | 16 V |
| 最小供电电压 | 4.5 V |
| 标称供电电压 | 15 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | MATTE TIN |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 断开时间 | 0.025 µs |
| 接通时间 | 0.025 µs |
| 宽度 | 3.9116 mm |
| Base Number Matches | 1 |
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