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High Speed, Single Channel, Power MOSFET Drivers
高速单通道功率MOSFET驱动器
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 生命周期 | Obsolete |
| IHS 制造商 | ELANTEC |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 风险等级 | 5.9 |
| Is Samacsys | N |
| 高边驱动器 | NO |
| 输入特性 | SCHMITT TRIGGER |
| 接口集成电路类型 | BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 输出特性 | OPEN-DRAIN |
| 标称输出峰值电流 | 4 A |
| 输出极性 | COMPLEMENTARY |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 15 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 子类别 | MOSFET Drivers |
| 标称供电电压 | 15 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 断开时间 | 0.025 µs |
| 接通时间 | 0.025 µs |
| Base Number Matches | 1 |
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