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IGBT Power Module
IGBT功率模块
| 生命周期 | Obsolete |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-CUFM-X7 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 风险等级 | 5.2 |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC) | 105 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 1200 V |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最大降落时间（tf） | 100 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值 | 6.5 V |
| 门极-发射极最大电压 | 20 V |
| JESD-30 代码 | R-CUFM-X7 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 7 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值 | 625 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大上升时间（tr） | 140 ns |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | UNSPECIFIED |
| 端子位置 | UPPER |
| 晶体管应用 | GENERAL PURPOSE |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 最大关闭时间（toff） | 600 ns |
| 标称断开时间 (toff) | 450 ns |
| 最大开启时间（吨） | 60 ns |
| 标称接通时间 (ton) | 30 ns |
| VCEsat-Max | 3 V |
| Base Number Matches | 1 |
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