Small Signal Field-Effect Transistor, 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
生命周期 | Active |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
Reach Compliance Code | compliant |
风险等级 | 5.72 |
其他特性 | ULTRA LOW RESISTANCE |
配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 20 V |
最大漏源导通电阻 | 0.3 欧姆 |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss) | 12 pF |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G6 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 6 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
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