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SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE
单相硅桥
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 生命周期 | Transferred |
| 包装说明 | O-PBCY-W4 |
| 针数 | 4 |
| 制造商包装代码 | WOM |
| Reach Compliance Code | compliant |
| HTS代码 | 8541.10.00.80 |
| 风险等级 | 5.06 |
| 其他特性 | UL RECOGNIZED |
| 最小击穿电压 | 1000 V |
| 配置 | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码 | O-PBCY-W4 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 40 A |
| 元件数量 | 4 |
| 相数 | 1 |
| 端子数量 | 4 |
| 最高工作温度 | 165 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 最大输出电流 | 1.5 A |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压 | 1000 V |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches | 1 |
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