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1SS286

1SS286 规格参数_Datasheet数据手册

品牌:HITACHI/日立

Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector, High Speed Switching
硅肖特基二极管适用于各种探测器,高速开关

型号参数:1SS286参数
是否Rohs认证不符合
生命周期Transferred
IHS 制造商HITACHI LTD
零件包装代码DO-34
包装说明O-PALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
HTS代码8541.10.00.60
风险等级5.25
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
最大二极管电容1.2 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型MIXER DIODE
最大正向电压 (VF)0.6 V
JEDEC-95代码DO-34
JESD-30 代码O-PALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度100 °C
最大输出电流0.035 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散0.15 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压25 V
子类别Rectifier Diodes
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1
调查问卷

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