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Mixer Diode, Ultra High Frequency, Silicon, DO-35
| 生命周期 | Transferred |
| IHS 制造商 | HITACHI LTD |
| 包装说明 | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8541.10.00.60 |
| 风险等级 | 5.25 |
| Is Samacsys | N |
| 其他特性 | HIGH RELIABILITY |
| 最小击穿电压 | 3 V |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE |
| 最大二极管电容 | 0.85 pF |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | MIXER DIODE |
| 频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY |
| JEDEC-95代码 | DO-35 |
| JESD-30 代码 | O-LALF-W2 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 100 °C |
| 最大输出电流 | 30 A |
| 封装主体材料 | GLASS |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | LONG FORM |
| 最大功率耗散 | 0.15 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大反向电流 | 50 µA |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | SCHOTTKY |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | AXIAL |
| Base Number Matches | 1 |
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