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SILICON NPN EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR
硅NPN外延双晶体管
| 生命周期 | Transferred |
| IHS 制造商 | HITACHI LTD |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 |
| 针数 | 6 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 风险等级 | 5.38 |
| Is Samacsys | N |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.05 A |
| 基于收集器的最大容量 | 0.45 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 4 V |
| 配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 80 |
| 最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-F6 |
| 元件数量 | 2 |
| 端子数量 | 6 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.22 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 子类别 | Other Transistors |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子位置 | DUAL |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 13000 MHz |
| Base Number Matches | 1 |
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