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MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM Handy Phone
MOS FET功率放大器模块E-GSM手持电话
| 生命周期 | Transferred |
| IHS 制造商 | HITACHI LTD |
| 包装说明 | MODULE,8LEAD,.54 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 风险等级 | 5.17 |
| Is Samacsys | N |
| 特性阻抗 | 50 欧姆 |
| 构造 | COMPONENT |
| 增益 | 90 dB |
| 最大输入功率 (CW) | 10 dBm |
| 端子数量 | 8 |
| 最大工作频率 | 915 MHz |
| 最小工作频率 | 890 MHz |
| 最高工作温度 | 100 °C |
| 最低工作温度 | -30 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装等效代码 | MODULE,8LEAD,.54 |
| 电源 | 5.5 V |
| 射频/微波设备类型 | NARROW BAND HIGH POWER |
| 子类别 | RF/Microwave Amplifiers |
| 技术 | HYBRID |
| 最大电压驻波比 | 3 |
| Base Number Matches | 1 |
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