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Twin Build in Biasing Circuit MOS FET IC VHF/UHF RF Amplifier
双人内建偏置电路MOS FET的IC VHF / UHF射频放大器
| 生命周期 | Transferred |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| 针数 | 6 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 风险等级 | 5.37 |
| 配置 | COMPLEX |
| 最小漏源击穿电压 | 6 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 0.021 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 0.03 A |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss) | 0.04 pF |
| 最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G6 |
| 元件数量 | 2 |
| 端子数量 | 6 |
| 工作模式 | DUAL GATE, DEPLETION MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.25 W |
| 最小功率增益 (Gp) | 16 dB |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 子类别 | FET General Purpose Power |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
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