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isc Silicon NPN Power Transistor
ISC的硅NPN功率晶体管
| 生命周期 | Contact Manufacturer |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 风险等级 | 5.66 |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 300 V |
| 配置 | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 30 |
| JEDEC-95代码 | TO-126 |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 功耗环境最大值 | 1.25 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 20 W |
| 参考标准 | TS 16949 |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
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