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IGBT Modules
IGBT模块
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 生命周期 | Transferred |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X19 |
| 针数 | 19 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 风险等级 | 5.71 |
| 其他特性 | UL RECOGNIZED |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC) | 225 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 600 V |
| 配置 | BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 门极-发射极最大电压 | 20 V |
| JESD-30 代码 | R-XUFM-X19 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 元件数量 | 6 |
| 端子数量 | 19 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 675 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 子类别 | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式 | UNSPECIFIED |
| 端子位置 | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称断开时间 (toff) | 340 ns |
| 标称接通时间 (ton) | 230 ns |
| VCEsat-Max | 2.5 V |
| Base Number Matches | 1 |
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