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MWI30-06A7

MWI30-06A7 规格参数_Datasheet数据手册

型号:MWI30-06A7
品牌:IXYS/艾赛斯

IGBT Modules
IGBT模块

型号参数:MWI30-06A7参数
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
生命周期Transferred
IHS 制造商IXYS CORP
包装说明SIXPACK-17
针数17
Reach Compliance Codecompliant
风险等级5.61
其他特性UL RECOGNIZED
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)45 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-XUFM-X11
JESD-609代码e3
元件数量6
端子数量11
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)140 W
认证状态Not Qualified
子类别Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)310 ns
标称接通时间 (ton)100 ns
VCEsat-Max2.4 V
Base Number Matches1
调查问卷

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