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NPN Silicon Planar High Performance Transistor
NPN硅平面高性能晶体管
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 生命周期 | Transferred |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8541.29.00.75 |
| 风险等级 | 5.19 |
| 外壳连接 | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 3 A |
| 基于收集器的最大容量 | 50 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 25 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 15 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 4 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 240 MHz |
| VCEsat-Max | 0.6 V |
| Base Number Matches | 1 |
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