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NPN Silicon Planar Medium Power High Gain Transistor
NPN硅平面中功率高增益晶体管
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 生命周期 | Active |
| IHS 制造商 | DIODES INC |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| 风险等级 | 5.57 |
| 最大集电极电流 (IC) | 4 A |
| 配置 | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 100 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs) | 2 W |
| 子类别 | Other Transistors |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 标称过渡频率 (fT) | 150 MHz |
| Base Number Matches | 1 |
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