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Silicon Schottky Barrier Diode
硅肖特基二极管
| 生命周期 | Transferred |
| IHS 制造商 | HITACHI LTD |
| 包装说明 | R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8541.10.00.80 |
| 风险等级 | 5.53 |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最大输出电流 | 0.7 A |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压 | 30 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | SCHOTTKY |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| Base Number Matches | 1 |
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