Silicon Schottky Barrier Diode
硅肖特基二极管
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Obsolete |
IHS 制造商 | RENESAS ELECTRONICS CORP |
包装说明 | R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8541.10.00.60 |
风险等级 | 5.73 |
配置 | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS |
最大二极管电容 | 0.9 pF |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | MIXER DIODE |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 100 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
技术 | SCHOTTKY |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches | 1 |
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