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Silicon Schottky Barrier Diode
硅肖特基二极管
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 生命周期 | Obsolete |
| IHS 制造商 | RENESAS ELECTRONICS CORP |
| 包装说明 | R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8541.10.00.60 |
| 风险等级 | 5.73 |
| 配置 | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS |
| 最大二极管电容 | 0.9 pF |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | MIXER DIODE |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 2 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 100 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | SCHOTTKY |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches | 1 |
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