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Dual Bias Resistor Transistors
双偏置电阻晶体管
| 生命周期 | Transferred |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 风险等级 | 5.34 |
| 其他特性 | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 50 V |
| 配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 80 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 2 |
| 端子数量 | 6 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | PNP |
| 功耗环境最大值 | 0.15 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
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