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Silicon Tuning Diode
硅调谐二极管
| 生命周期 | Obsolete |
| IHS 制造商 | KNOX SEMICONDUCTORS INC |
| 包装说明 | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8541.10.00.80 |
| 风险等级 | 5.76 |
| 最小击穿电压 | 30 V |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管电容容差 | 1% |
| 最小二极管电容比 | 2.5 |
| 标称二极管电容 | 18 pF |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| JEDEC-95代码 | DO-7 |
| JESD-30 代码 | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 封装主体材料 | GLASS |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | LONG FORM |
| 最大功率耗散 | 0.4 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最小质量因数 | 350 |
| 最大重复峰值反向电压 | 30 V |
| 最大反向电流 | 2e-8 µA |
| 反向测试电压 | 25 V |
| 子类别 | Varactors |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | AXIAL |
| 变容二极管分类 | ABRUPT |
| Base Number Matches | 1 |
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