2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY
2M- BIT [ 256K ×8 ] CMOS FLASH MEMORY
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Obsolete |
零件包装代码 | TSOP1 |
包装说明 | SOP, TSSOP32,.8,20 |
针数 | 32 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.32.00.51 |
风险等级 | 5.92 |
最长访问时间 | 120 ns |
其他特性 | 10000 ERASE/PROGRAM CYCLES |
命令用户界面 | YES |
数据轮询 | YES |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G32 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 2097152 bit |
内存集成电路类型 | FLASH |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
部门数/规模 | 4,14,4 |
端子数量 | 32 |
字数 | 262144 words |
字数代码 | 256000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 256KX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP |
封装等效代码 | TSSOP32,.8,20 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V |
编程电压 | 12 V |
认证状态 | Not Qualified |
反向引出线 | YES |
部门规模 | 4K,16K,4K |
最大待机电流 | 0.0001 A |
子类别 | Flash Memories |
最大压摆率 | 0.05 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 0.5 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
切换位 | YES |
类型 | NOR TYPE |
Base Number Matches | 1 |
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