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64M-BIT [4M x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY
64M - BIT [ 4M X16 ] CMOS单电压3V仅限于Flash存储器
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 生命周期 | Obsolete |
| IHS 制造商 | MACRONIX INTERNATIONAL CO LTD |
| 零件包装代码 | DSBGA |
| 包装说明 | TFBGA, |
| 针数 | 48 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | 3A991.B.1.A |
| HTS代码 | 8542.32.00.51 |
| 风险等级 | 5.92 |
| 最长访问时间 | 90 ns |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B48 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 12 mm |
| 内存密度 | 67108864 bit |
| 内存集成电路类型 | FLASH |
| 内存宽度 | 16 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 48 |
| 字数 | 4194304 words |
| 字数代码 | 4000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 4MX16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TFBGA |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 编程电压 | 3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.75 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 11 mm |
| Base Number Matches | 1 |
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