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Low -Power, Monolithic, CMOS Analog Multiplexers
低能源，单片， CMOS模拟多路复用器
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 生命周期 | Obsolete |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-16 |
| 针数 | 16 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 风险等级 | 5.89 |
| 其他特性 | ALSO OPERATES WITH 10 TO 30 SINGLE SUPPLY |
| 模拟集成电路 - 其他类型 | SINGLE-ENDED MULTIPLEXER |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T16 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 负电源电压最大值（Vsup） | -18 V |
| 负电源电压最小值（Vsup） | -4.5 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
| 信道数量 | 4 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 16 |
| 标称断态隔离度 | 70 dB |
| 通态电阻匹配规范 | 12 欧姆 |
| 最大通态电阻 (Ron) | 300 欧姆 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 245 |
| 电源 | +-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最大信号电流 | 0.02 A |
| 子类别 | Multiplexer or Switches |
| 最大供电电流 (Isup) | 0.5 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 18 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 表面贴装 | NO |
| 最长断开时间 | 1000 ns |
| 最长接通时间 | 2000 ns |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 |
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