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NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers on VHF band Mobile radio applications)
NPN外延平面型（对VHF频段的移动无线电应用的RF功率放大器）
| 生命周期 | Obsolete |
| 零件包装代码 | SFM |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8541.29.00.95 |
| 风险等级 | 5.6 |
| 外壳连接 | EMITTER |
| 最大集电极电流 (IC) | 3.5 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 17 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 10 |
| 最高频带 | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
| JEDEC-95代码 | TO-220AB |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 功耗环境最大值 | 25 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 1.5 W |
| 最小功率增益 (Gp) | 7.5 dB |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 子类别 | Other Transistors |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
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