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Fast Page DRAM, 4MX1, 50ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-26/20
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 生命周期 | Obsolete |
| IHS 制造商 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 零件包装代码 | SOJ |
| 包装说明 | SOJ, SOJ20/26,.34 |
| 针数 | 20 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.32.00.02 |
| 风险等级 | 5.43 |
| Is Samacsys | N |
| 访问模式 | FAST PAGE |
| 最长访问时间 | 50 ns |
| 其他特性 | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH |
| I/O 类型 | SEPARATE |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-J20 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 17.15 mm |
| 内存密度 | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型 | FAST PAGE DRAM |
| 内存宽度 | 1 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 20 |
| 字数 | 4194304 words |
| 字数代码 | 4000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 4MX1 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOJ |
| 封装等效代码 | SOJ20/26,.34 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 1024 |
| 座面最大高度 | 3.55 mm |
| 自我刷新 | YES |
| 最大待机电流 | 0.0001 A |
| 子类别 | DRAMs |
| 最大压摆率 | 0.125 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 |
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