MITSUBISHI/三菱 MGFC42V5964-51的Datasheet PDF数据手册资料_规格参数及简介

型号：MGFC42V5964-51

标签: 局域网 放大器 CD

品牌：MITSUBISHI/三菱

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, GF-18, 2 PIN

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型号参数：MGFC42V5964-51参数

生命周期	Obsolete
IHS 制造商	MITSUBISHI ELECTRIC CORP
包装说明	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数	2
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
风险等级	5.84
Is Samacsys	N
外壳连接	SOURCE
配置	SINGLE
最大漏极电流 (Abs) (ID)	15 A
最大漏极电流 (ID)	12 A
FET 技术	JUNCTION
最高频带	C BAND
JESD-30 代码	R-CDFM-F2
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	DEPLETION MODE
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	78.9 W
最小功率增益 (Gp)	8 dB
认证状态	Not Qualified
子类别	Other Transistors
表面贴装	YES
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches	1