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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, DIE-6
| 生命周期 | Obsolete |
| IHS 制造商 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 零件包装代码 | DIE |
| 包装说明 | UNCASED CHIP, R-XUUC-N6 |
| 针数 | 6 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| HTS代码 | 8541.21.00.40 |
| 风险等级 | 5.84 |
| 其他特性 | LOW NOISE |
| 配置 | SINGLE |
| 最大漏极电流 (ID) | 0.06 A |
| FET 技术 | HIGH ELECTRON MOBILITY |
| 最高频带 | X BAND |
| JESD-30 代码 | R-XUUC-N6 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 6 |
| 工作模式 | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | UNCASED CHIP |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最小功率增益 (Gp) | 9.5 dB |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | UPPER |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches | 1 |
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