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POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
功率场效应晶体管
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 生命周期 | Obsolete |
| IHS 制造商 | MOTOROLA INC |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 风险等级 | 5.87 |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压 | 400 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 15 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 15 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.3 欧姆 |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-204AA |
| JESD-30 代码 | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值 | 150 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 250 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 子类别 | FET General Purpose Power |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | PIN/PEG |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
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