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2.5V/3.3V SiGe Differential Smart Gate with Output Level Select
2.5V / 3.3V的SiGe差分智能门和输出电平选择
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 生命周期 | Obsolete |
| IHS 制造商 | ON SEMICONDUCTOR |
| 零件包装代码 | QFN |
| 包装说明 | 3 X 3 MM, QFN-16 |
| 针数 | 16 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 风险等级 | 5.43 |
| Is Samacsys | N |
| 其他特性 | NECL MODE: VCC = 0V WITH VEE = -2.375V TO -3.465V |
| 系列 | 86 |
| JESD-30 代码 | S-XQCC-N16 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 3 mm |
| 逻辑集成电路类型 | LOGIC CIRCUIT |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 16 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | HVQCCN |
| 封装等效代码 | LCC16,.12SQ,20 |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE |
| 包装方法 | TAPE AND REEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 |
| 电源 | +-2.5/+-3.3 V |
| 最大电源电流（ICC） | 39 mA |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 0.22 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 施密特触发器 | NO |
| 座面最大高度 | 1 mm |
| 子类别 | Gates |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.465 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.375 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | ECL |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn90Pb10) |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 0.5 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 宽度 | 3 mm |
| Base Number Matches | 1 |
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