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SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR
硅栅增强型RF功率LDMOS晶体管
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 生命周期 | Contact Manufacturer |
| IHS 制造商 | POLYFET R F DEVICES |
| 包装说明 | , |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 风险等级 | 5.76 |
| Is Samacsys | N |
| 配置 | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 17.5 A |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 200 °C |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 290 W |
| 子类别 | FET General Purpose Power |
| Base Number Matches | 1 |
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