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PATENTED GOLD METALLIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
PATENTED金金属化硅栅增强型RF功率VDMOS晶体管
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 生命周期 | Obsolete |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-D3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| HTS代码 | 8541.30.00.80 |
| 风险等级 | 5.65 |
| 其他特性 | UL RECOGNIZED |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | BRIDGE, HALF-CONTROLLED |
| 最大直流栅极触发电流 | 60 mA |
| 最大直流栅极触发电压 | 2 V |
| 最大维持电流 | 100 mA |
| JESD-30 代码 | R-XUFM-D3 |
| 元件数量 | 2 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流 | 28 A |
| 重复峰值关态漏电流最大值 | 10000 µA |
| 断态重复峰值电压 | 1000 V |
| 重复峰值反向电压 | 1000 V |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | SOLDER LUG |
| 端子位置 | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 触发设备类型 | SCR |
| Base Number Matches | 1 |
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