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SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
硅栅增强型RF功率VDMOS晶体管
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 生命周期 | Obsolete |
| 包装说明 | LEAD FREE, SOIC-16 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 风险等级 | 5.69 |
| 差分输出 | NO |
| 驱动器位数 | 4 |
| 输入特性 | STANDARD |
| 接口集成电路类型 | LINE DRIVER |
| 接口标准 | EIA-232; V.28 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G16 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 4 |
| 端子数量 | 16 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 最小输出摆幅 | 14 V |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装等效代码 | SOP16,.4 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 250 |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大接收延迟 | |
| 子类别 | Line Driver or Receivers |
| 标称供电电压 | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| Base Number Matches | 1 |
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