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SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
硅栅增强型RF功率VDMOS晶体管
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 生命周期 | Contact Manufacturer |
| IHS 制造商 | POLYFET R F DEVICES |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 风险等级 | 5.75 |
| Is Samacsys | N |
| 其他特性 | LOW NOISE |
| 外壳连接 | SOURCE |
| 配置 | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS |
| 最小漏源击穿电压 | 65 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 1.8 A |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码 | R-CDFM-F4 |
| 元件数量 | 2 |
| 端子数量 | 4 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
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