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184-Pin Unbuffered Double Data Rate SDRAM
184针无缓冲双数据速率SDRAM
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 生命周期 | Transferred |
| IHS 制造商 | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 零件包装代码 | DIMM |
| 包装说明 | DIMM, DIMM184 |
| 针数 | 184 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.32.00.36 |
| 风险等级 | 5.46 |
| 访问模式 | DUAL BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 0.5 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 200 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XDMA-N184 |
| 内存密度 | 8589934592 bit |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM MODULE |
| 内存宽度 | 64 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 184 |
| 字数 | 134217728 words |
| 字数代码 | 128000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 128MX64 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIMM |
| 封装等效代码 | DIMM184 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 电源 | 2.6 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 8192 |
| 自我刷新 | YES |
| 最大待机电流 | 0.064 A |
| 子类别 | DRAMs |
| 最大压摆率 | 2.18 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.6 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| Base Number Matches | 1 |
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