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Unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor diodes
单向和双向瞬态电压抑制二极管
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 生命周期 | Active |
| IHS 制造商 | TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 包装说明 | O-PALF-W2 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8541.10.00.50 |
| 风险等级 | 5.2 |
| Is Samacsys | N |
| 最大击穿电压 | 420 V |
| 最小击穿电压 | 380 V |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JEDEC-95代码 | DO-41 |
| JESD-30 代码 | O-PALF-W2 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散 | 400 W |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性 | BIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散 | 1 W |
| 最大重复峰值反向电压 | 342 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | AVALANCHE |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches | 1 |
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