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Three-Phase IGBT BRIDGE, With Gate Driver and Magnetic Isolation
三相IGBT桥，闸极驱动器和磁隔离
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 生命周期 | Active |
| 零件包装代码 | MODULE |
| 包装说明 | , |
| 针数 | 45 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 风险等级 | 5.78 |
| 内置保护 | TRANSIENT; OVER CURRENT; UNDER VOLTAGE |
| 接口集成电路类型 | HALF BRIDGE BASED PERIPHERAL DRIVER |
| JESD-30 代码 | R-XXMA-X45 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 45 |
| 最高工作温度 | 105 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 输出电流流向 | SOURCE AND SINK |
| 标称输出峰值电流 | 180 A |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大供电电压 | 16 V |
| 最小供电电压 | 14 V |
| 标称供电电压 | 15 V |
| 表面贴装 | NO |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | UNSPECIFIED |
| 端子位置 | UNSPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 断开时间 | 1.2 µs |
| 接通时间 | 0.8 µs |
| Base Number Matches | 1 |
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