Step Recovery Diode, Very High Frequency to L Band, 6GHz Max, Silicon
生命周期 | Obsolete |
包装说明 | O-CEMW-N2 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8541.10.00.80 |
风险等级 | 5.84 |
其他特性 | TWO CHIP DIODE, HIGH RELIABILITY |
应用 | COMB GENERATOR; FREQUENCY MULTIPLIER |
最小击穿电压 | 90 V |
配置 | SINGLE |
最小截止频率 | 225 MHz |
最大二极管电容 | 1.5 pF |
最小二极管电容 | 1 pF |
标称二极管电容 | 1.2 pF |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | STEP RECOVERY DIODE |
频带 | VERY HIGH FREQUENCY TO L BAND |
JESD-30 代码 | O-CEMW-N2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最大输出频率 | 6 GHz |
最小输出频率 | 2 GHz |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | MICROWAVE |
认证状态 | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 90 V |
子类别 | Varactors |
表面贴装 | YES |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | END |
Base Number Matches | 1 |
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