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CMOS AND GATES
CMOS和盖茨
| Brand Name | Texas Instruments |
| 生命周期 | Active |
| IHS 制造商 | TEXAS INSTRUMENTS INC |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP-14 |
| 针数 | 14 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| Factory Lead Time | 6 weeks |
| 风险等级 | 1.97 |
| Is Samacsys | N |
| 系列 | 4000/14000/40000 |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T14 |
| 长度 | 19.56 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | AND GATE |
| 最大I（ol） | 0.0015 A |
| 功能数量 | 2 |
| 输入次数 | 4 |
| 端子数量 | 14 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP14,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 包装方法 | TUBE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5/15 V |
| 最大电源电流（ICC） | 0.15 mA |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 250 ns |
| 传播延迟（tpd） | 250 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 施密特触发器 | NO |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 子类别 | Gates |
| 最大供电电压 (Vsup) | 18 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 6.67 mm |
| Base Number Matches | 1 |
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