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SINGLE 9-A HIGH SPEED LOW-SIDE MOSFET DRIVER WITH ENABLE
单9A高速低侧MOSFET驱动器与启用
| Brand Name | Texas Instruments |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 生命周期 | Active |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP8,.3 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 风险等级 | 0.84 |
| Samacsys Confidence | 3 |
| Samacsys Status | Released |
| 2D Presentation | |
| Schematic Symbol | |
| PCB Footprint | |
| 3D View | |
| Samacsys PartID | 183012 |
| Samacsys Image | |
| Samacsys Thumbnail Image | |
| Samacsys Pin Count | 8 |
| Samacsys Part Category | Integrated Circuit |
| Samacsys Package Category | Dual-In-Line Packages |
| Samacsys Footprint Name | P (R-PDIP-T8) |
| Samacsys Released Date | 2015-06-24 00:00:00 |
| Is Samacsys | N |
| 高边驱动器 | NO |
| 接口集成电路类型 | BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 长度 | 9.81 mm |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 输出特性 | TOTEM-POLE |
| 最大输出电流 | 9 A |
| 标称输出峰值电流 | 9 A |
| 输出极性 | TRUE AND INVERTED |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 4.5/15 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 子类别 | MOSFET Drivers |
| 最大压摆率 | 0.65 mA |
| 最大供电电压 | 15 V |
| 最小供电电压 | 4.5 V |
| 标称供电电压 | 14 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | BICMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 断开时间 | 0.07 µs |
| 接通时间 | 0.07 µs |
| 宽度 | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 |
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