SINGLE 9-A HIGH SPEED LOW- SIDE MOSFET DRIVER WITH ENABLE
单9 ,高速低侧MOSFET驱动器与启用
Brand Name | Texas Instruments |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Active |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP, DIP8,.3 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.39.00.01 |
风险等级 | 0.84 |
Samacsys Confidence | 3 |
Samacsys Status | Released |
2D Presentation | |
Schematic Symbol | |
PCB Footprint | |
3D View | |
Samacsys PartID | 183012 |
Samacsys Image | |
Samacsys Thumbnail Image | |
Samacsys Pin Count | 8 |
Samacsys Part Category | Integrated Circuit |
Samacsys Package Category | Dual-In-Line Packages |
Samacsys Footprint Name | P (R-PDIP-T8) |
Samacsys Released Date | 2015-06-24 00:00:00 |
Is Samacsys | N |
高边驱动器 | NO |
接口集成电路类型 | BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 |
JESD-609代码 | e4 |
长度 | 9.81 mm |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
输出特性 | TOTEM-POLE |
最大输出电流 | 9 A |
标称输出峰值电流 | 9 A |
输出极性 | TRUE AND INVERTED |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP8,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 4.5/15 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 5.08 mm |
子类别 | MOSFET Drivers |
最大压摆率 | 0.65 mA |
最大供电电压 | 15 V |
最小供电电压 | 4.5 V |
标称供电电压 | 14 V |
表面贴装 | NO |
技术 | BICMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
断开时间 | 0.07 µs |
接通时间 | 0.07 µs |
宽度 | 7.62 mm |
Base Number Matches | 1 |
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