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GENERAL PURPOSE TRANSISTOR NPN SILICON
通用晶体管NPN硅
| 生命周期 | Contact Manufacturer |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 风险等级 | 5.74 |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.6 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 30 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 100 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 300 MHz |
| 最大关闭时间（toff） | 285 ns |
| 最大开启时间（吨） | 35 ns |
| Base Number Matches | 1 |
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