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英特尔周一宣布,下一世代3D XPoint存储器芯片的研发计划,将转移阵地至新墨西哥州厂。据新墨西哥州长Susana Martinez表示,英特尔变更布局将为当地带来逾100个新工作机会。
中国科学院上海微系统与信息技术研究所宋志棠团队近期在国产新型存储器材料上取得重大突破,创新提出一种高速相变材料的设计思路,打破了国外技术壁垒。该成果近日在线发表于《科学》杂志。
韩国政府未来10年拟砸1.5兆韩元(约13.4亿美元)投资半导体,分别为研发下一代存储器芯片材料,寻求IC设计厂与晶圆厂互惠共生,以及寻求韩国成为全球半导体公司的生产基地。
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