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Bel fuse C1表面安装熔断器有1206或0603外壳大小,工作温度范围为-55°C至+125°C。Bel熔断器C1F和C1H熔断器是符合AEC-Q的1206熔断器。C1F系列提供了改进的抗浪涌性能。C1H是一种额定大电流、快速作用的芯片
SemtechµClamp2492SQ静电放电(ESD)保护装置设计提供健壮的ESD保护汽车CAN总线节点上。的µClamp2492SQ集成两个24 v双向电视二极管和特性的动态电阻0.55欧姆。钳位电压较低的µClamp2492SQ特性,...
Bourns精密快动薄膜熔断器是专为过流保护而设计的快动精密表面安装熔断器。这些熔断器具有自动装配的表面贴装包装,占地面积小。精密快速熔断器在200%额定电流下的熔断时间在5秒内,并在-20°C至105°C的温度范围内工作。典型的应用包括P...
Bourns SM8SF-Q暂态电压抑制二极管提供24 - 36V反向电压范围和7000W最大峰值功耗额定。SM8SF-Q二极管专为敏感电子器件提供过压保护,符合ISO7637-2和ISO16750-2的要求。Bourns SM8SF-Q暂...
TDK AVR-H压敏电阻比现有器件小75%,性能可比,符合AEC-Q200标准。紧凑的高可靠性芯片压敏电阻提供最大工作电压为19V至70V,电容范围为4.7pF至50pF。该设备适用于IEC机箱1005 (EIA 0402),其紧凑尺寸仅...
伊顿TVS二极管ESD抑制器提供高度可靠的保护,对快速和破坏性电压瞬变,如静电放电,电快速瞬变,和感应照明。这些抑制器提供3.3V到70V的反向工作范围,高达240A峰值脉冲电流,低至0.07pF的电容。这些TVS二极管以分立和阵列形式提供...
Schurter轴向引线和插装式熔断器提供250V (AC) / 100 v (DC)额定电压和10至50A的额定电流。这些熔断器具有镀镍黄铜结构和500A至10kA分断能力范围,具有波峰焊接设计的轴向熔断器。Schurter轴向引线和插装...
Bel fuse 0ZT高温PTC可复位熔断器满足AEC-Q200要求,提供-40°C至+125°C的工作温度范围。表面安装保险丝具有比标准SMD设备更快的跳闸时间,最大电压可达30V。可用的芯片尺寸包括0805,1206,1210,1812
Littelfuse AQ2555NUTG低电容TVS二极管阵列设计用于为高速、差分数据线提供ESD(静电放电)、CDE(电缆放电事件)、EFT(电快速瞬变)和雷电感应电涌的保护。二极管封装在一个μDFN封装中(3.0 x 2.0mm),每...
Bourns MF-RG Multifuse PPTC可复位熔断器为汽车、数据服务器和工业电子行业的应用提供电路保护解决方案。这些熔断器可以携带高电流,并提供最大的工作电压(V (rms)) 16 v。波恩MF-RG熔断器适用于狭小空间和任...
ESD保护是用来保护数据线或其他I/O ESD瞬态。ESDZX051-1BF4 ESD保护提供特低电容,可以保护高速差分线路,不影响信号完整性。此外,ST ESDZX051-1BF4 ESD保护能够保护最敏感的亚微米技术电路,使用极低的箝位...
AVX VLAS Automotive TransGuard 压敏电阻是低箝位工作电压比的多层压敏电阻。这些压敏电阻器是AEC-Q200合格的,并提供双向ESD过压保护以及单个SMD封装中的EMI/RFI衰减。VLAS压敏电阻具有较低的击穿...
Nexperia PESDxIVN车载网络(IVN) ESD保护装置用于保护汽车IVN总线线路免受静电放电(ESD)等瞬态损坏。AEC-Q101采用最新一代汽车保护技术设计,PESDxIVN设备满足汽车环境中日益复杂的网络解决方案要求。PE...
Littelfuse QS系列高速圆体熔断器提供了现代半导体设备所需的高速电路保护。这些熔断器提供极端电流限制保护,以防止电力冲击以及平衡性能的寿命。L50QS和L70QS系列高速熔断器采用淬弧石砂,提供更低的电弧电压,同时提供更低的l (...
Littelfuse SP1326 TVS二极管阵列使用专有的硅雪崩技术,为电子设备提供高ESD(静电放电)保护。这些TVS二极管阵列可以安全地吸收±30kV(接触放电,IEC 61000-4-2)的重复ESD冲击而不影响设备的性能。双向离...
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