
- 产品品牌:MDT 多维科技
- 产品类别:磁场传感器
- 产品型号:AMR2501
详细信息
AMR2501 磁场传感器简介
AMR2501采用独特的推挽式惠斯通电桥结构设计,惠斯通电桥包含四个高灵敏度AMR传感元件,独特AMR惠斯通电桥结构有效地补偿了传感器的温度漂移。AMR2501性能优越,采用极小封装形式DFN5X6 -16L。
AMR2501 磁场传感器特性
(1)基于各向异性磁电阻技术;
(2)优越的温度稳定性;
(3)低成本;
(4)低磁滞;
(5)宽工作电压范围;
(6)低本底噪声( 150pT/√Hz@1Hz);
(7)小尺寸封装。
AMR2501 磁场传感器应用
(1)微弱磁场检测;
(2)电流传感器;
(3)位置传感器;
(4)导航系统,罗盘定向;
(5)交通流量检测;
(6)磁强计;
(7)磁开关传感器。
AMR2501 磁场传感器技术参数
规格项 | 参数值 |
更多规格 | |
电阻(k欧姆) | 0.77 |
饱和场(Oe) | ±4 |
敏感方向 | X轴 |
磁滞(Oe) | 0.02 |
本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz) | 0.15 |
封装形式 | DFN5X6 -16L |
产品型号 | AMR2501 |
兼容型号 | ― |
敏度(mV/V/Oe) | 2.1 |
交付周期 | In Stock |
磁阻结构 | / |
供电电压 | 1~12 V |