博通 Broadcom AFBR-S4N33C013 NUV-HD单硅光电倍增管（SiPM）的有效面积为3.0mm x 3.0mm，采用芯片尺寸的封装。SiPM用于单光子的超灵敏精确测量。

博通 Broadcom AFBR-S4N33C013使用硅通孔（TSV）技术和芯片尺寸封装（CSP），可以实现单个芯片的高封装密度。拼接多个AFBR-S4N33C013 CSP可以覆盖更大的区域，而边缘损耗很小。保护层是由玻璃制成的，该玻璃在紫外线波长下具有高度的透明度。保护层导致在可见光谱中具有宽的响应，并且对光谱的蓝和近紫外区域具有高灵敏度。

AFBR-S4N33C013 SiPM设计用于检测低电平脉冲光源。这些特别适用于检测来自最常见的有机（塑料）和无机闪烁体材料（例如LSO，LYSO，BGO，NaI，CsI，BaF，LaBr）的Cherenkov或闪烁光。

AFBR-S4N33C013 NUV-HD SiPM的工作温度范围为-40°C至+ 85°C，无铅且符合RoHS要求。

AFBR-S4N33C013 NUV-HD SiPM特征

420nm处的PDE高达54％以上

芯片尺寸封装（CSP）

出色的SPTR和CRT

出色的击穿电压均匀性，180mV（3 sigma）

出色的增益均匀度

采用TSV技术（4面可拼接），具有高填充因子

尺寸3.14mm x 3.14mm 2

单元间距为30μmX为30μm 2

高透明玻璃保护层

工作温度范围为-40°C至+ 85°C

符合RoHS和REACH

AFBR-S4N33C013 NUV-HD SiPM应用领域

X射线和伽马射线检测

伽玛射线光谱

安全保障

核医学

正电子发射断层扫描

生命科学

流式细胞仪

荧光–发光测量

时间相关的单光子计数

高能物理

天体物理学

AFBR-S4N33C013 NUV-HD SiPM技术指标

-40°C至+ 85°C储存温度

-40°C至+ 85°C工作温度

245°C焊接温度

60s铅焊时间

2kV静电放电电压能力HBM

500V静电放电电压能力CDM

10V工作过电压

AFBR-S4N33C013 NUV-HD SiPM功能结构图