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德州仪器TPL7407L 高压大电流NMOS晶体管阵列介绍_引脚图_技术参数

来源:HQBUY 发布时间:2020-09-18

摘要: TPL7407L是高压大电流NMOS晶体管阵列。它具有7个低端NMOS晶体管,能够吸收高达600mA的电流和GPIO范围(1.8至5V)。这7个高电压,大电流NMOS晶体管连接到一个公共地,并由内部电平转换和栅极驱动电路驱动。

TPL7407L是高压大电流NMOS晶体管阵列。它具有7个低端NMOS晶体管,能够吸收高达600mA的电流和GPIO范围(1.8至5V)。这7个高电压,大电流NMOS晶体管连接到一个公共地,并由内部电平转换和栅极驱动电路驱动。


TPL7407L高压大电流NMOS晶体管阵列


NMOS晶体管具有高压输出(40V),带有用于切换电感性负载的共阴极钳位二极管。TPL7407L与双极达林顿同类产品相比,具有更高的电源效率和更低的泄漏。它还具有内部续流二极管,用于感应反冲保护。

它可用于继电器驱动器,单极步进和直流有刷电机驱动器,螺线管和阀门驱动器,LED驱动器,栅极和IGBT驱动器等应用中。



TPL7407L的引脚图


TPL7407L的引脚图



TPL7407L功能框图


TPL7407L功能框图



TPL7407L技术参数


600mA额定漏极电流(每通道)
7通道达林顿阵列的CMOS引脚到引脚的改进(例如ULN2003A)
高效电源(非常低的VOL)– 100 mA时的VOL比Darlington阵列低不到4倍
每通道的输出泄漏极低,小于10 nA
扩展的环境温度范围:TA = –40°C至125°C
高压输出40 V
兼容1.8V至5.0V的微控制器和逻辑接口
内部续流二极管,用于感应反冲保护
输入下拉电阻器使输入驱动器处于三态
输入RC缓冲器可消除嘈杂环境中的杂散操作
感应负载驱动器应用
ESD保护超过JESD 22 – 2kV HBM,500V CDM

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